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晶体管
BSZ100N03LS G参考图片

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BSZ100N03LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:5,648(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4748
44.748
100
¥2.8815
288.15
1,000
¥2.3052
2305.2
5,000
¥1.9549
9774.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
零件号别名
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ1N3LSGXT SP000304135
商品其它信息
优势价格,BSZ100N03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:6813
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:42268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.94468
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:8994
晶体管
MOSFET -20V -4.2A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
9,000:¥0.69156
参考库存:17994
晶体管
MOSFET Dual 30V N Channel Mosfet
1:¥8.0682
10:¥7.0738
100:¥5.4579
500:¥4.0454
2,500:¥2.8476
5,000:查看
参考库存:8812
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