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晶体管
IRF7478TRPBF参考图片

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IRF7478TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
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库存:6,610(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001563530
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,IRF7478TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:16266
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥22.5887
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:4069
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥669.8188
5:¥648.2245
10:¥627.941
25:¥598.6627
参考库存:16271
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:5074
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:2476
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