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APTGT300DA170G

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数量单价合计
100
¥1,155.9787
115597.87
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.66 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT300DA170G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:3701
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
2,000:¥2.4973
参考库存:4648
晶体管
MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.7176
参考库存:12433
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 500mA NPN GP Transistors
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.69156
1,000:¥0.46895
5,000:¥0.36838
参考库存:39812
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:5849
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