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晶体管
ZXTN19055DZTA参考图片

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ZXTN19055DZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN HIGH GAIN
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库存:5,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.407
44.07
100
¥2.8476
284.76
1,000
¥2.2713
2271.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN190
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 250 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V, 30 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN19055DZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1179
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥14.4414
10:¥12.0684
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
2,500:¥6.78
参考库存:14118
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:1113
晶体管
MOSFET Pch -30V Vds -2A 0.14Rds(on) 3.9Qg
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:2990
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:25986
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