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晶体管
CSD16403Q5A参考图片

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CSD16403Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:45,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8478
3423.9
2,500
¥5.2884
13221
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16403Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
91 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.2 ns
典型接通延迟时间
11.8 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16403Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.1472
10:¥4.9607
100:¥3.7742
500:¥3.1075
3,000:¥2.26
6,000:查看
参考库存:9017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:11005
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:7821
晶体管
MOSFET
1:¥48.7934
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
2,000:¥24.5097
参考库存:5023
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 5.0/20 mA 30mS 15pF
1:¥99.3496
10:¥83.5296
100:¥76.84
250:¥70.0826
参考库存:3091
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