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晶体管
SQ1922EEH-T1_GE3参考图片

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SQ1922EEH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9606
29.606
100
¥2.1922
219.22
500
¥1.808
904
3,000
¥1.2769
3830.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
840 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
700 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SQ1922EEH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDD120AN15A0-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 14A 150V MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
2,500:¥3.8081
10,000:查看
参考库存:6773
MPSA06RA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Medium Power
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
2,000:¥0.61472
参考库存:22347
IFN5434
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 100mA 300mW 2.4mW
1:¥123.1022
10:¥103.5758
100:¥95.2816
250:¥86.8292
参考库存:2012
FDD10AN06A0
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
2,500:¥5.8421
参考库存:5411
IF3601
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 300mW 2mW
1:¥154.7535
参考库存:2231
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