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晶体管
STGB5H60DF参考图片

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STGB5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.0681
3034.05
1,000
¥4.7912
4791.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:2499
晶体管
MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9265
晶体管
MOSFET PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:2845
晶体管
MOSFET PTNG N-CH 100V/120V
1:¥50.2511
10:¥42.6462
100:¥36.9623
250:¥35.1204
参考库存:2012
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥21.7412
10:¥18.5207
100:¥14.7578
500:¥12.9046
5,000:¥9.605
10,000:查看
参考库存:4759
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