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晶体管
STGB5H60DF参考图片

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STGB5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.0681
3034.05
1,000
¥4.7912
4791.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -40 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:6600
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Current Driver
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥1.921
参考库存:12213
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:11415
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.5368
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:48316
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1246
5,000:查看
参考库存:6719
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