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晶体管
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FDD9409-F085

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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4749
647.49
500
¥5.7291
2864.55
2,500
¥4.0115
10028.75
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD9409_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
FDD9409_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD9409-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:32001
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:32004
STI13NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:6680
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
3,000:¥5.1641
参考库存:8682
PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥4,926.3706
参考库存:32011
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