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晶体管
RN1903(T5L,F,T)参考图片

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RN1903(T5L,F,T)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
系列
RN1903
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,RN1903(T5L,F,T)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3
1:¥3.842
10:¥2.4747
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
4,000:¥0.62263
参考库存:39154
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V 5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:5219
晶体管
MOSFET 20 V, P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
5,000:¥0.63732
参考库存:7296
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,500:¥3.9889
9,000:查看
参考库存:4093
晶体管
MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:11150
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