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晶体管
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BD241CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 40W NPN
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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3505
43.505
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD241C
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BD241CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8365
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:5623
晶体管
MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
3,000:¥1.3334
参考库存:9607
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN DUAL COMPLMNT SOT-963
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:17609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:44210
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