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晶体管
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1参考图片

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IFF600B12ME4S8PB11BOSA1

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库存:33,416(价格仅供参考)
数量单价合计
6
¥1,917.158
11502.948
12
¥1,869.5172
22434.2064
30
¥1,843.3125
55299.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Screw Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
IFF600B12ME4S8P_B11
商品其它信息
优势价格,IFF600B12ME4S8PB11BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26894
参考库存:44364
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:44367
晶体管
达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:44370
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:44373
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:44376
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