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晶体管
A2T18S261W12NR3参考图片

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A2T18S261W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥624.325
624.325
5
¥612.1888
3060.944
10
¥591.9731
5919.731
25
¥566.921
14173.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935338749528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
优势价格，A2T18S261W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857BS-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:130457
MCH3377-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:31246
FQA140N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2160
IRFR9220TRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.5259
10:¥8.2942
100:¥6.78
500:¥5.311
1,000:¥4.2375
2,000:¥3.8646
参考库存:10453
LND150N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 500V 1KOhm
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
参考库存:14809
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