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晶体管
PMCPB5530X,115参考图片

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PMCPB5530X,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL 7" Q1/T
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.4239
34.239
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3786
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
14.4 nC, 8.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Nexperia
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
优势价格,PMCPB5530X,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:6113
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:32781
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:12199
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.1419
800:¥13.1419
参考库存:5247
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