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晶体管
BSS138LT3G参考图片

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BSS138LT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 50V 200mA N-Channel
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库存:349,026(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
10,000
¥0.37629
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS138L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
40 mg
商品其它信息
优势价格,BSS138LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
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MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:3346
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1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:7971
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MOSFET PMV100ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:16454
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1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
250:¥47.0306
参考库存:3451
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