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晶体管
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FDI038AN06A0

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库存:1,929(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.8942
30.8942
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.7469
2274.69
250
¥21.5943
5398.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FDI038AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
144 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FDI038AN06A0_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FDI038AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:4305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:5182
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4773
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:4641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:13326
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