您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FDD4685参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FDD4685

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:7,100(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9495
69.495
100
¥5.3449
534.49
500
¥4.7234
2361.7
1,000
¥3.729
3729
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD4685
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD4685的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel JFET 50mA
73:¥97.4286
100:¥89.5977
250:¥81.6764
500:¥76.3767
参考库存:41198
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥18.9049
10:¥17.063
50:¥15.2889
100:¥13.7521
参考库存:41201
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:41204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
参考库存:41207
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:41210
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们