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晶体管
SGH30N60RUFDTU参考图片

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SGH30N60RUFDTU

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库存:41,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH30N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
SGH30N60RUFDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,SGH30N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:6485
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:15326
晶体管
MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
3,000:¥15.0629
参考库存:9159
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel Trench MOSFET
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:15494
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:4395
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