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晶体管
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SGH30N60RUFDTU

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数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH30N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
SGH30N60RUFDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，SGH30N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS0312AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:7751
NJW21193G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
1:¥30.4309
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:3656
2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:8769
FQB55N10TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:4588
IRF830ASPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
参考库存:4074
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