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晶体管
2SK3079ATE12LQ参考图片

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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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库存:30,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
优势价格,2SK3079ATE12LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:9707
晶体管
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.8139
100:¥5.424
500:¥4.2375
3,000:¥3.1866
6,000:查看
参考库存:4283
晶体管
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
250:¥6.4523
500:¥5.6952
参考库存:17401
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:2007
晶体管
MOSFET FET 100V 9.9 MOHM PQFN56
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.142
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:3285
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