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晶体管
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STAC3933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
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数量单价合计
1
¥836.0192
836.0192
5
¥820.6512
4103.256
10
¥783.6889
7836.889
25
¥757.5633
18939.0825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Tube
配置
Dual Common Source
工作频率
30 MHz
系列
STAC3933
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.6329
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.68365
参考库存:7164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9181
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:10800
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:3852
晶体管
MOSFET 7A,20V Dual N Chann Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:4838
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