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晶体管
MJF6388G参考图片

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MJF6388G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
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库存：4,720(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9608
3480.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJF6388
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
9.24 mm
长度
10.63 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，MJF6388G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
暂无价格
参考库存:30702
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4852
MRF6VP3091NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
500:¥682.1132
参考库存:30707
STFU13N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1,000:¥6.8026
2,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30710
NGTD8R65F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECTIF
1,072:¥3.2318
2,500:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:30713
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