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晶体管
IPP055N03LGHKSA1参考图片

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IPP055N03LGHKSA1

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数量单价合计
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.39
3390
2,500
¥3.0058
7514.5
10,000
¥2.8928
28928
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPP055N03L IPP55N3LGXK SP000266314
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP055N03LGHKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 600V/30A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46457
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:46460
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,155.9787
参考库存:46463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:46466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:46469
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