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晶体管
FQD9N25TM-F080参考图片

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FQD9N25TM-F080

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.3563
735.63
500
¥6.4975
3248.75
2,500
¥4.5539
11384.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD9N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQD9N25TM_F080
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FQD9N25TM-F080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVP4525E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:10162
BSZ0901NS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
5,000:¥3.3222
10,000:查看
参考库存:11703
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
2,000:¥2.9719
参考库存:8237
IRFBC30ALPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
参考库存:4404
FCP380N60E
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:4319
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