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晶体管
IKW75N65ES5参考图片

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IKW75N65ES5

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库存:5,224(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65ES5XKSA1 SP001319684
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:8351
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:17553
晶体管
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:17556
晶体管
MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.808
参考库存:17559
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥3.5934
10,000:¥3.4578
25,000:¥3.3448
参考库存:17562
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