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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.7 V at 400 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	55 ns
下降时间	45 ns
Id-连续漏极电流	358 A
Pd-功率耗散	1570 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	40 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	180 ns
典型接通延迟时间	55 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V

商品其它信息

优势价格，BSM400C12P3G202的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQ3418EV-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥5.8421 10:¥5.1076 100:¥3.8533 500:¥2.8476 3,000:¥1.9775 6,000:查看	参考库存:7470
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A2V09H525-04NR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	150:¥1,026.3564	参考库存:25087
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RN1111(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A	1:¥2.3052 10:¥1.5029 100:¥0.63054 1,000:¥0.43053 3,000:¥0.32318	参考库存:25092