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晶体管
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RGT30NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 15A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥6.9721
6972.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
133 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT30NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT30NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，RGT30NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:42111
NIC9N05TS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V
3,500:¥8.5315
7,000:¥8.2264
10,500:¥7.91
参考库存:42114
CMLDM7003T TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs
3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:42117
RJH60F4DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥31.0411
10:¥27.7415
25:¥24.973
50:¥23.8204
参考库存:42120
JAN2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:42123
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