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晶体管
FGH30S130P参考图片

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FGH30S130P

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库存:4,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
500
¥25.5154
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH30S130P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH30S130P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥87.9818
200:¥80.2187
500:¥74.9981
1,000:¥68.8509
参考库存:39622
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
2,500:¥3.0284
10,000:¥2.9154
25,000:¥2.825
参考库存:39625
晶体管
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1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:5663
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:39630
晶体管
JFET JFET
1:¥623.0933
2:¥610.7989
5:¥604.1884
10:¥585.2948
参考库存:39633
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