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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Rds On-漏源导通电阻	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.65 mm
长度	4.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	TC621
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Dual Channel N & P
宽度	3.8 mm
商标	Microchip Technology
下降时间	11.3 ns, 11.1 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.3 ns, 2.3 ns
工厂包装数量	3300
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	17.2 ns, 16.2 ns
典型接通延迟时间	2.5 ns, 2.4 ns
单位重量	85 mg

商品其它信息

优势价格，TC6215TG-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD86311W1723	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET	1:¥8.2942 10:¥7.0738 100:¥5.424 500:¥4.7912 3,000:¥3.3561 9,000:查看	参考库存:3186
TIP31BG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 40W NPN	1:¥4.8364 10:¥3.9776 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566	参考库存:2963
FQB50N06LTM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level	1:¥8.4524 10:¥7.232 100:¥5.5596 500:¥4.9155 800:¥3.8759	参考库存:4329
IRFD024PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024	1:¥9.5259 10:¥7.8422 100:¥5.989 500:¥5.1528	参考库存:5039
TP2540N3-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 400V 25Ohm	1:¥10.3734 10:¥10.2152 25:¥8.6106 100:¥7.8422	参考库存:2947