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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	1 kOhms, 10 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2114
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2114MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6-D3F 40V NFET	5,000:¥6.3732 10,000:¥6.1359	参考库存:27643
PTVA035002EV-V1-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥2,586.3553	参考库存:27646
NVMFS5C450NLWFAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL	5,000:¥2.8928 10,000:¥2.7798 25,000:¥2.7007	参考库存:27649
PXAD214218FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,159.2105	参考库存:27652
APTGT300A120D3G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	100:¥1,266.8656	参考库存:27655