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晶体管

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APTGT150SK60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:28,391(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥307.4391
30743.91
250
¥301.0546
75263.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150SK60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
500:¥14.2945
5,000:¥14.2945
参考库存:5311
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
1,000:¥18.0574
2,000:查看
参考库存:6449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300mA 305V
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:11044
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:3816
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:45299
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