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晶体管
IPB65R045C7参考图片

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IPB65R045C7

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7
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库存:2,944(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.298
84.298
10
¥77.5293
775.293
25
¥74.3088
1857.72
100
¥65.4722
6547.22
1,000
¥53.4038
53403.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPB65R045C7ATMA1 SP000929420
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB65R045C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington
1:¥3.0736
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:3521
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:4359
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:9352
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:3538
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V 89 mo FET
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.9945
参考库存:6255
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