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晶体管
IFN411参考图片

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IFN411

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW
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库存:3,208(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.7608
74.7608
10
¥61.3138
613.138
100
¥50.8726
5087.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
5 mA
Id-连续漏极电流
200 uA
Pd-功率耗散
375 mW
系列
IFN411
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
0.6 mS
闸/源截止电压
- 3.5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
U411
商品其它信息
优势价格,IFN411的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
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