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晶体管
STW18NM80参考图片

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STW18NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V MDMesh
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库存:2,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.4882
46.4882
10
¥42.036
420.36
25
¥40.0359
1000.8975
100
¥34.804
3480.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
295 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW18NM80
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW18NM80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥1,742.8894
参考库存:36738
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥99.1236
250:¥90.3661
500:¥84.524
1,000:¥77.5293
参考库存:36741
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:2779
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:2781
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥630.3931
100:¥616.7201
参考库存:36748
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