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晶体管
BFU590GX参考图片

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BFU590GX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:10,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8.5 GHz
最大直流电集电极电流
300 mA
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934067975115
单位重量
97.726 mg
商品其它信息
优势价格,BFU590GX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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