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晶体管
IPW60R041C6FKSA1参考图片

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IPW60R041C6FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:5,296(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥98.1292
98.1292
10
¥90.2079
902.079
25
¥86.5241
2163.1025
100
¥76.2298
7622.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
77.5 A
Rds On-漏源导通电阻
37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
290 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
481 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPW60R041C6 IPW6R41C6XK SP000718886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R041C6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:17018
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SMALL SIGNAL BIAS RE
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:17021
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:17024
晶体管
MOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥24.1255
10:¥19.9784
100:¥16.4415
250:¥15.9782
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:17027
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.7521
10:¥11.4469
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
3,000:¥6.4297
参考库存:17030
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