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晶体管
TN0606N3-G P014参考图片

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TN0606N3-G P014

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存：25,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3054
63.054
25
¥5.2206
130.515
100
¥4.7686
476.86
2,000
¥3.0736
6147.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TN0606N3-G P014的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMZ1000UN,315
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:6870
RGTH80TS65DGC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
250:¥19.6733
参考库存:1364
RN1318(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7049
MMBT3906T-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:9412
UMH11NTN
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9851
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