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晶体管
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AGR09030EF

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库存:25,924(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,AGR09030EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:6369
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
1:¥6.9156
10:¥5.8534
100:¥4.4974
500:¥3.9776
3,000:¥2.7798
9,000:查看
参考库存:8777
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:10542
晶体管
MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5
1:¥1.2317
10:¥1.1865
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:120089
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