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晶体管
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HGTD1N120BNS9A

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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5653
3282.65
1,000
¥5.1867
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
5.3 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTD1N120BNS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
5.3 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5.3 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，HGTD1N120BNS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817-40Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:89590
FD1000R33HL3-K
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥16,300.7585
参考库存:1435
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:1899
FP150R12KT4
Infineon / IR
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:1449
FCU600N65S3R0
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:3120
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