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晶体管
IKA15N65ET6XKSA2参考图片

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IKA15N65ET6XKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
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数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IGBT6
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
17 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA15N65ET6 SP001701336
商品其它信息
优势价格,IKA15N65ET6XKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A
1:¥6.8365
10:¥5.6726
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
2,500:¥2.4747
参考库存:3552
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
500:¥20.905
参考库存:1477
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.6896
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,500:¥2.7459
9,000:查看
参考库存:2777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:4269
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:19352
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