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晶体管
IKA15N65ET6XKSA2参考图片

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IKA15N65ET6XKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
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数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IGBT6
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
17 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA15N65ET6 SP001701336
商品其它信息
优势价格,IKA15N65ET6XKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 2.4 MOHM PQFN56
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
3,000:¥13.9894
参考库存:9891
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.2318
参考库存:4021
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.9947
10:¥5.8308
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
4,000:¥3.0171
参考库存:5653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:2188
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:3360
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