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晶体管
FP150R12KT4参考图片

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FP150R12KT4

  • Infineon / IR
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库存:1,449(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,910.4684
1910.4684
5
¥1,864.4435
9322.2175
10
¥1,818.1926
18181.926
25
¥1,792.6772
44816.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4BPSA1 SP001603812
商品其它信息
优势价格,FP150R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
参考库存:7552
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,500:¥3.4804
参考库存:3513
晶体管
MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:27240
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:2543
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5371
参考库存:2005
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