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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	135 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	781 W
封装 / 箱体	T-Max-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT50GF120B2RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI6562CDQ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR	1:¥7.9891 10:¥6.5314 100:¥5.0059 500:¥4.3053 3,000:¥4.3053	参考库存:36146
TMBT3904,LM	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification	1:¥1.4577 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.29154 3,000:¥0.2147	参考库存:15482
PUMH14,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7	1:¥2.4634 10:¥1.7176 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842	参考库存:3932
DTA043ZUBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥2.0001 10:¥1.3108 100:¥0.5537 1,000:¥0.37629 3,000:¥0.29154	参考库存:5357
FF450R17ME4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 450A 1700V	1:¥1,805.1976 5:¥1,761.783 10:¥1,718.0633 25:¥1,693.9378	参考库存:1260