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晶体管
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FQPF27P06

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4015
740.15
500
¥6.5427
3271.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF27P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
185 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FQPF27P06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:41031
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥369.3744
250:¥361.6113
参考库存:41034
晶体管
IGBT 晶体管 POWER TRS IGBT
1:¥45.4938
10:¥40.567
25:¥36.499
50:¥34.8831
参考库存:41037
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 90 Amp
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
参考库存:41040
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:41043
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