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晶体管
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VS-GA400TD60S

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1
¥1,727.5214
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DUAL INT-A-INK
安装风格
SMD/SMT
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
750 A
Pd-功率耗散
1563 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Vishay Semiconductors
集电极连续电流
750 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商标名
HEXFRED
单位重量
270 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK03M1DPA-00#J5A
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.5mOhm
3,000:¥6.5314
6,000:¥6.0455
参考库存:36913
2N3735L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥75.145
200:¥68.5458
500:¥64.0823
1,000:¥58.7826
参考库存:36916
SSM3J118TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin
暂无价格
参考库存:36919
JANTXV2N2219A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
183:¥78.761
250:¥71.8454
500:¥67.235
1,000:¥61.6302
参考库存:36922
JAN2N2218/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
213:¥40.7252
250:¥36.8041
500:¥33.0412
1,000:¥27.8206
参考库存:36925
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