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晶体管
STD12N65M2参考图片

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STD12N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8026
3401.3
2,500
¥4.7686
11921.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD12N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD12N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT100GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:2966
IPB45P03P4L-11
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.893
1,000:¥5.4353
参考库存:3111
IRFHM3911TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
4,000:¥2.4295
参考库存:13895
FJV3102RMTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/10K 10K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:18644
ULN2802A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:3563
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