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晶体管
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FDI030N06

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数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.8149
2681.49
250
¥25.4363
6359.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
193 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FDI030N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
154 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
178 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,FDI030N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9954
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W PNP
1:¥49.72
10:¥44.9514
50:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3707
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:3818
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:17813
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:3365
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