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晶体管
SCT3030ALGC11参考图片

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SCT3030ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥189.8739
189.8739
5
¥187.8738
939.369
10
¥175.1161
1751.161
25
¥167.2852
4182.13
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
262 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9.4 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SCT3030AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SCT3030ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:39114
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
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10:¥1,810.2713
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1,600:¥6.328
2,400:¥5.4353
4,800:¥4.9607
9,600:¥4.5313
参考库存:39120
MV2N4860UB
Microsemi
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JFET JFET
100:¥741.4269
参考库存:39123
2N3637UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:39126
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