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晶体管
SCT3030ALGC11参考图片

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SCT3030ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥189.8739
189.8739
5
¥187.8738
939.369
10
¥175.1161
1751.161
25
¥167.2852
4182.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
262 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9.4 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SCT3030AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SCT3030ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT1048ATA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
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BCV61C,215
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:6669
PBLS6004D,115
Nexperia
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1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
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MJD350-13
Diodes Incorporated
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1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
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EMH2418R-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 8.5A 24V 2.5V DRI
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:5127
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