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晶体管
TSM80N08CZ C0G参考图片

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TSM80N08CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 75V, 80A N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
4,000
¥7.1303
28521.2
5,000
¥6.8704
34352
10,000
¥6.7235
67235
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113.6 W, 2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
66 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
21.5 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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