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晶体管
IPI47N10S-33参考图片

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IPI47N10S-33

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库存:32,108(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2885
7288.5
2,500
¥6.78
16950
5,000
¥6.5314
32657
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPI47N10S33AKSA1 IPI47N1S33XK SP000225703
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI47N10S-33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
9,000:¥0.791
参考库存:8460
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.5315
10:¥7.0625
100:¥5.4127
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.4352
参考库存:7132
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 1700V
1:¥887.8071
5:¥871.5238
10:¥832.2563
25:¥804.5148
参考库存:1215
晶体管
MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
1:¥2.2261
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:61191
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:12049
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