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晶体管
NGTB50N60S1WG参考图片

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NGTB50N60S1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 50A 600V Welding
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库存:4,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.5616
45.5616
10
¥38.7251
387.251
100
¥33.5045
3350.45
250
¥31.8095
7952.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
417 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB50N60S1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NX138BKS/SC-88/REEL 13" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:18761
晶体管
MOSFET N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:7564
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs
1:¥14.5996
10:¥12.1362
100:¥9.4468
500:¥8.2264
参考库存:18766
晶体管
MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:18769
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2,500:¥3.2883
参考库存:18772
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