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晶体管
STB80NF55L-06T4参考图片

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STB80NF55L-06T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
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库存:4,529(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5832
25.5832
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
1,000
¥13.5261
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB80NF55L-06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB80NF55L-06T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8228
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
2,500:¥1.2543
参考库存:8144
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
1:¥512.8279
5:¥503.3811
10:¥490.3183
25:¥480.7133
参考库存:5242
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:24632
晶体管
MOSFET Pch Power MOS FET -
1:¥4.068
10:¥2.9832
100:¥1.8871
500:¥1.5255
10,000:¥1.1978
参考库存:25849
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