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晶体管
VND7NV04TR-E参考图片

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VND7NV04TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET
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库存:16,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
2,500
¥5.6048
14012
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Qg-栅极电荷
18 nC
Pd-功率耗散
60 W
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
VND7NV04
类型
Low Side
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
350 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
470 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,VND7NV04TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30456
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4408
25,000:¥2.3391
参考库存:30459
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:30462
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0001
9,000:¥1.9323
24,000:¥1.8532
45,000:¥1.8193
参考库存:30465
晶体管
MOSFET TRENCH-100
4,800:¥5.3336
9,600:¥5.1302
参考库存:30468
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